- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
985
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 140W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 87A (Tc) | 7.2 mOhm @ 52A, 10V | 3.7V @ 100µA | 126nC @ 10V | 4430pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,230
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK | StrongIRFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 140W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 90A (Tc) | 4.8 mOhm @ 66A, 10V | 3.7V @ 100µA | 130nC @ 10V | 4360pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,257
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 99W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 56A (Tc) | 11.2 mOhm @ 35A, 10V | 3.7V @ 100µA | 89nC @ 10V | 3107pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,254
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 71A DPAK | StrongIRFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 99W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 56A (Tc) | 7.9 mOhm @ 43A, 10V | 3.7V @ 100µA | 87nC @ 10V | 3020pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1