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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD80R2K8CEBTMA1
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RFQ
2,662
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 CoolMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 42W (Tc) N-Channel 800V 1.9A (Tc) 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V 3.9V @ 120µA 12nC @ 10V 290pF @ 100V 10V ±20V
IPD80R2K8CEATMA1
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RFQ
2,705
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 CoolMOS™ CE Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 42W (Tc) N-Channel 800V 1.9A (Tc) 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V 3.9V @ 120µA 12nC @ 10V 290pF @ 100V 10V ±20V
IPD80R3K3P7ATMA1
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RFQ
2,777
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 CoolMOS™ P7 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 18W (Tc) N-Channel 800V 1.9A (Tc) 3.3 Ohm @ 590mA, 10V 3.5V @ 30µA 5.8nC @ 10V 120pF @ 500V 10V ±20V
FQD2N60CTM
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RFQ
1,594
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 44W (Tc) N-Channel 600V 1.9A (Tc) 4.7 Ohm @ 950mA, 10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V 235pF @ 25V 10V ±30V
FQD2N60CTM-WS
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RFQ
2,680
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.9A QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 44W (Tc) N-Channel 600V 1.9A (Tc) 4.7 Ohm @ 950mA, 10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V 235pF @ 25V 10V ±30V
IRFR9210TRPBF
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RFQ
2,270
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 25W (Tc) P-Channel 200V 1.9A (Tc) 3 Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±20V
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