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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRLR8503TRPBF
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RFQ
2,243
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 44A DPAK HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 62W (Tc) N-Channel - 30V 44A (Tc) 16 mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 20nC @ 5V 1650pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
FDD3672-F085
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RFQ
1,270
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3 Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 144W (Tc) N-Channel - 100V 44A (Tc) 47 mOhm @ 21A, 6V 4V @ 250µA 36nC @ 10V 1635pF @ 25V 6V, 10V ±20V
DMT8012LK3-13
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RFQ
613
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 2.7W (Ta) N-Channel - 80V 44A (Tc) 17 mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 34nC @ 10V 1949pF @ 40V 4.5V, 10V ±20V
IRFR1205TRPBF
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RFQ
3,490
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 44A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 107W (Tc) N-Channel - 55V 44A (Tc) 27 mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65nC @ 10V 1300pF @ 25V 10V ±20V
STD44N4LF6
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RFQ
1,647
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 44A DPAK DeepGATE™, STripFET™ VI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 50W (Tc) N-Channel - 40V 44A (Tc) 12.5 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 10V 1190pF @ 25V 5V, 10V ±20V
BUK6217-55C,118
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RFQ
3,778
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 44A DPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 80W (Tc) N-Channel - 55V 44A (Tc) 19 mOhm @ 12A, 10V 2.8V @ 1mA 33.8nC @ 10V 1950pF @ 25V 10V ±16V
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