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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
3,696
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ON Semiconductor PMOS DPAK 40V 27 MOHM Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 83W (Tj) P-Channel - 40V 32A (Tc) 27 mOhm @ 8.4A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 5V 2380pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
NTD6414ANT4G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 32A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 100W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 37 mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 40nC @ 10V 1450pF @ 25V 10V ±20V
BUK9237-55A,118
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1,562
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 32A DPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 77W (Tc) N-Channel - 55V 32A (Tc) 33 mOhm @ 15A, 10V 2V @ 1mA 17.6nC @ 5V 1236pF @ 25V 5V, 10V ±15V
TSM35N10CP ROG
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2,825
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 83.3W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 37 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 34nC @ 10V 1598pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IRFR3411TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 32A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 130W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 44 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71nC @ 10V 1960pF @ 25V 10V ±20V
STD30N10F7
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2,214
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 35A DPAK DeepGATE™, STripFET™ VII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 50W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 24 mOhm @ 16A, 10V 4.5V @ 250µA 19nC @ 10V 1270pF @ 50V 10V 20V
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