- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,379
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 18A (Tc) | 110 mOhm @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | 650pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,613
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | STripFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 18A (Tc) | 125 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 940pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,808
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N CH 150V 18A DPAK | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 56.8W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 18A (Tc) | 77 mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 11nC @ 10V | 765pF @ 75V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,494
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | STripFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 110W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 18A (Tc) | 125 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 940pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,434
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 18A (Tc) | 110 mOhm @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | 650pF @ 25V | 10V | ±20V |