- 零件状态 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,659
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO-252 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 125W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 30A (Tc) | 75 mOhm @ 21.5A, 10V | 4V @ 1.7mA | 48nC @ 10V | 1535pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,603
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | SIPMOS® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 125W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 30A (Tc) | 75 mOhm @ 21.5A, 10V | 4V @ 1.7mA | 48nC @ 10V | 1535pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,550
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 125W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 70A (Tc) | 12 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 37nC @ 10V | 2118pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,819
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 125W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 9.5A (Ta), 50A (Tc) | 11.6 mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 32nC @ 5V | 2810pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |