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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TSM2NB65CP ROG
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3,208
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 65W (Tc) N-Channel - 650V 2A (Tc) 5 Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 13nC @ 10V 390pF @ 25V 10V ±20V
IPD60R385CPBTMA1
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896
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 83W (Tc) N-Channel - 650V 9A (Tc) 385 mOhm @ 5.2A, 10V 3.5V @ 340µA 22nC @ 10V 790pF @ 100V 10V ±20V
SPD01N60C3BTMA1
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3,929
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252 CoolMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 11W (Tc) N-Channel - 650V 800mA (Tc) 6 Ohm @ 500mA, 10V 3.9V @ 250µA 5nC @ 10V 100pF @ 25V 10V ±20V
STD10NM65N
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3,973
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 9A DPAK MDmesh™ II Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 90W (Tc) N-Channel - 650V 9A (Tc) 480 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 25nC @ 10V 850pF @ 50V 10V ±25V
STDLED656
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1,690
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 6A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 70W (Tc) N-Channel - 650V 6A (Tc) 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V 4.5V @ 50µA 34nC @ 10V 895pF @ 100V 10V ±30V
STD12N65M5
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1,308
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK MDmesh™ V Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 70W (Tc) N-Channel - 650V 8.5A (Tc) 430 mOhm @ 4.3A, 10V 5V @ 250µA 22nC @ 10V 900pF @ 100V 10V ±25V
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