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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
GP1M008A050CG
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2,335
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 8A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 120W (Tc) N-Channel - 500V 8A (Tc) 850 mOhm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 21nC @ 10V 937pF @ 25V 10V ±30V
PHD71NQ03LT,118
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 75A DPAK TrenchMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 120W (Tc) N-Channel - 30V 75A (Tc) 10 mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 13.2nC @ 5V 1220pF @ 25V 5V, 10V ±20V
STD105N10F7AG
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 80A DPAK STripFET™ F7 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 120W (Tc) N-Channel - 100V 80A (Tc) 8 mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 250µA 61nC @ 10V 4369pF @ 50V 10V ±20V
STD80N6F6
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3,636
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V DPAK DeepGATE™, STripFET™ VI Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 120W (Tc) N-Channel - 60V 80A (Tc) 6.5 mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 250µA 122nC @ 10V 7480pF @ 25V 10V ±20V
IRLR3915TRPBF
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3,320
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 120W (Tc) N-Channel - 55V 30A (Tc) 14 mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 92nC @ 10V 1870pF @ 25V 5V, 10V ±16V
TSM70N10CP ROG
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1,418
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 120W (Tc) N-Channel - 100V 70A (Tc) 13 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 145nC @ 10V 4300pF @ 30V 10V ±20V
STD100N10F7
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996
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STMicroelectronics MOSFET N CH 100V 80A DPAK DeepGATE™, STripFET™ VII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 120W (Tc) N-Channel - 100V 80A (Tc) 8 mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 250µA 61nC @ 10V 4369pF @ 50V 10V ±20V
IRLR2908TRPBF
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RFQ
2,861
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 30A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 120W (Tc) N-Channel - 80V 30A (Tc) 28 mOhm @ 23A, 10V 2.5V @ 250µA 33nC @ 4.5V 1890pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRLR2908TRLPBF
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1,038
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 30A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 120W (Tc) N-Channel - 80V 30A (Tc) 28 mOhm @ 23A, 10V 2.5V @ 250µA 33nC @ 4.5V 1890pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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