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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD180N10N3GBTMA1
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RFQ
3,271
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 71W (Tc) N-Channel - 100V 43A (Tc) 18 mOhm @ 33A, 10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V 1800pF @ 50V 6V, 10V ±20V
IPD053N08N3GBTMA1
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RFQ
1,054
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 150W (Tc) N-Channel - 80V 90A (Tc) 5.3 mOhm @ 90A, 10V 3.5V @ 90µA 69nC @ 10V 4750pF @ 40V 6V, 10V ±20V
AOD2904
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RFQ
3,573
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.7W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 100V 10.5A (Ta), 70A (Tc) 10 mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 52nC @ 10V 2785pF @ 50V 6V, 10V ±20V
ZXMP10A18K
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RFQ
3,244
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 2.17W (Ta) P-Channel - 100V 3.8A (Ta) 150 mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 26.9nC @ 10V 1055pF @ 50V 6V, 10V ±20V
IPD122N10N3GBTMA1
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RFQ
1,900
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 94W (Tc) N-Channel - 100V 59A (Tc) 12.2 mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35nC @ 10V 2500pF @ 50V 6V, 10V ±20V
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