- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,325
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | OptiMOS™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 50A (Tc) | 5.7 mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 40µA | 22nC @ 5V | 2653pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,132
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 | OptiMOS™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 6.1 mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 40µA | 22nC @ 5V | 2800pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,127
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 60A DPAK | STripFET™ III | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 70W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 60A (Tc) | 6 mOhm @ 30A, 10V | 1.8V @ 250µA | 22nC @ 5V | 2050pF @ 16V | 5V, 10V | ±20V |