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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
GP1M003A090C
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RFQ
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 94W (Tc) N-Channel - 900V 2.5A (Tc) 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V 748pF @ 25V 10V ±30V
IPD90R1K2C3BTMA1
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RFQ
3,044
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 CoolMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 83W (Tc) N-Channel - 900V 5.1A (Tc) 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 310µA 28nC @ 10V 710pF @ 100V 10V ±20V
FQD2N90TF
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK QFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 50W (Tc) N-Channel - 900V 1.7A (Tc) 7.2 Ohm @ 850mA, 10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V 500pF @ 25V 10V ±30V
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