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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STD11N65M5
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RFQ
2,180
有现货
STMicroelectronics MOSFET N CH 650V 9A DPAK MDmesh™ V Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 85W (Tc) N-Channel - 650V 9A (Tc) 480 mOhm @ 4.5A, 10V 5V @ 250µA 17nC @ 10V 620pF @ 100V 10V ±25V
SPD07N60C3T
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RFQ
602
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK CoolMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 83W (Tc) N-Channel - 650V 7.3A (Tc) 600 mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 27nC @ 10V 790pF @ 25V 10V ±20V
IPD65R420CFDBTMA1
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RFQ
1,862
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 CoolMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 83.3W (Tc) N-Channel - 650V 8.7A (Tc) 420 mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 340µA 32nC @ 10V 870pF @ 100V 10V ±20V
IPD65R950CFDBTMA1
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RFQ
2,093
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 CoolMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 36.7W (Tc) N-Channel - 650V 3.9A (Tc) 950 mOhm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 200µA 14.1nC @ 10V 380pF @ 100V 10V ±20V
IPD65R1K4CFDBTMA1
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RFQ
2,189
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 CoolMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 28.4W (Tc) N-Channel - 650V 2.8A (Tc) 1.4 Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 100µA 10nC @ 10V 262pF @ 100V 10V ±20V
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