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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BUK92150-55A,118
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RFQ
3,059
有现货
Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 11A DPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 36W (Tc) N-Channel 55V 11A (Tc) 125 mOhm @ 5A, 10V 2V @ 1mA 6nC @ 5V 338pF @ 25V 4.5V, 10V ±15V
IPD30N06S4L23ATMA2
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RFQ
3,116
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-11 36W (Tc) N-Channel 60V 30A (Tc) 23 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 10µA 21nC @ 10V 1560pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
BUK72150-55A,118
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RFQ
2,745
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 11A DPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 36W (Tc) N-Channel 55V 11A (Tc) 150 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 5.5nC @ 10V 322pF @ 25V 10V ±20V
IRFR1N60ATRPBF
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1,713
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 36W (Tc) N-Channel 600V 1.4A (Tc) 7 Ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V 229pF @ 25V 10V ±30V
IPD220N06L3GBTMA1
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RFQ
3,709
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 36W (Tc) N-Channel 60V 30A (Tc) 22 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
NTD5867NLT4G
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1,796
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 20A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 36W (Tc) N-Channel 60V 20A (Tc) 39 mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 15nC @ 10V 675pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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