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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRLR3303TRPBF
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RFQ
3,065
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A DPAK HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 68W (Tc) N-Channel - 30V 35A (Tc) 31 mOhm @ 21A, 10V 1V @ 250µA 26nC @ 4.5V 870pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRFH7936TR2PBF
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RFQ
3,627
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56 HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PQFN (5x6) 3.1W (Ta) N-Channel - 30V 20A (Ta), 54A (Tc) 4.8 mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 50µA 26nC @ 4.5V 2360pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI8402DB-T1-E1
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RFQ
3,665
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 1.47W (Ta) N-Channel - 20V 5.3A (Ta) 37 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 26nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
IRF7811ATRPBF
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RFQ
2,928
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 28V 11A (Ta) 10 mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 26nC @ 4.5V 1760pF @ 15V 4.5V ±12V
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RFQ
1,065
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 16A MICRO TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA 6-microfoot 2.77W (Ta), 13W (Tc) N-Channel - 8V 16A (Tc) 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 26nC @ 4.5V 1470pF @ 4V 1.2V, 4.5V ±5V
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