- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,065
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 68W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 35A (Tc) | 31 mOhm @ 21A, 10V | 1V @ 250µA | 26nC @ 4.5V | 870pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
3,627
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56 | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PQFN (5x6) | 3.1W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 20A (Ta), 54A (Tc) | 4.8 mOhm @ 20A, 10V | 2.35V @ 50µA | 26nC @ 4.5V | 2360pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,665
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-XFBGA, CSPBGA | 4-Microfoot | 1.47W (Ta) | N-Channel | - | 20V | 5.3A (Ta) | 37 mOhm @ 1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 26nC @ 4.5V | - | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,928
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 28V | 11A (Ta) | 10 mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 26nC @ 4.5V | 1760pF @ 15V | 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,065
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 16A MICRO | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA | 6-microfoot | 2.77W (Ta), 13W (Tc) | N-Channel | - | 8V | 16A (Tc) | 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 26nC @ 4.5V | 1470pF @ 4V | 1.2V, 4.5V | ±5V |