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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD60N10S4L12ATMA1
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1,896
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-313 94W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 12 mOhm @ 60A, 10V 2.1V @ 46µA 49nC @ 10V 3170pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
AUIRFR5305TRL
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 110W (Tc) P-Channel - 55V 31A (Tc) 65 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
AUIRFR5410TRL
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 66W (Tc) P-Channel - 100V 13A (Tc) 205 mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 58nC @ 10V 760pF @ 25V 10V ±20V
AUIRLR3410TRL
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 79W (Tc) N-Channel - 100V 17A (Tc) 105 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34nC @ 5V 800pF @ 25V 4V, 10V ±16V
AUIRFS3107TRL
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 370W (Tc) N-Channel - 75V 195A (Tc) 3 mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 240nC @ 10V 9370pF @ 50V 10V ±20V
AUIRLL2705TR
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863
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA PG-SOT223 1W (Ta) N-Channel - 55V 5.2A (Ta) 40 mOhm @ 3.8A, 10V 2V @ 250µA 48nC @ 10V 870pF @ 25V 4V, 10V ±16V
AUIRLL014NTR
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 55V 2A (Ta) 140 mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14nC @ 10V 230pF @ 25V 4V, 10V ±16V
BSS806NEH6327XTSA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SOT23-3 500mW (Ta) N-Channel - 20V 2.3A (Ta) 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V 0.75V @ 11µA 1.7nC @ 2.5V 529pF @ 10V 1.8V, 2.5V ±8V
AUIRF4905STRL
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 170W (Tc) P-Channel - 55V 42A (Tc) 20 mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 3500pF @ 25V 10V ±20V
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