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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSH111,215
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RFQ
2,194
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 TrenchMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23) 830mW (Tc) N-Channel 55V 335mA (Ta) 4 Ohm @ 500mA, 4.5V 1.3V @ 1mA 1nC @ 8V 40pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
DMN2005LPK-7
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RFQ
2,430
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-UFDFN 3-DFN1006 (1.0x0.6) 450mW (Ta) N-Channel 20V 440mA (Ta) 1.5 Ohm @ 10mA, 4V 1.2V @ 100µA - - 1.5V, 4V ±10V
DMN2005K-7
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RFQ
1,739
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 350mW (Ta) N-Channel 20V 300mA (Ta) 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V 900mV @ 100µA - - 1.8V, 2.7V ±10V
DMN2005LP4K-7
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RFQ
3,578
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1006-3 400mW (Ta) N-Channel 20V 200mA (Ta) 1.5 Ohm @ 10mA, 4V 900mV @ 100µA - 41pF @ 3V 1.5V, 4V ±10V
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