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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSC159N10LSFGATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 OptiMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 114W (Tc) N-Channel - 100V 9.4A (Ta), 63A (Tc) 15.9 mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 72µA 35nC @ 10V 2500pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
SIHH11N60E-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerPAK® 8 x 8 114W (Tc) N-Channel - 600V 11A (Tc) 339 mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 62nC @ 10V 1076pF @ 100V 10V ±30V
STL150N3LLH5
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5 STripFET™ V Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (6x5) 114W (Tc) N-Channel - 30V 195A (Tc) 1.75 mOhm @ 17.5A, 10V 2.2V @ 250µA 40nC @ 4.5V 5800pF @ 25V 4.5V, 10V ±22V
BSC123N10LSGATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 114W (Tc) N-Channel - 100V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 12.3 mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 72µA 68nC @ 10V 4900pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
BSC118N10NSGATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 114W (Tc) N-Channel - 100V 11A (Ta), 71A (Tc) 11.8 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 70µA 56nC @ 10V 3700pF @ 50V 10V ±20V
SIHH11N60EF-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerPAK® 8 x 8 114W (Tc) N-Channel - 600V 11A (Tc) 357 mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 62nC @ 10V 1078pF @ 100V 10V ±30V
BSC070N10NS3GATMA1
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RFQ
1,833
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 114W (Tc) N-Channel - 100V 90A (Tc) 7 mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 75µA 55nC @ 10V 4000pF @ 50V 6V, 10V ±20V
FDD4N60NZ
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ON Semiconductor MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK UniFET-II™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 114W (Tc) N-Channel - 600V 3.4A (Tc) 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V 5V @ 250µA 10.8nC @ 10V 510pF @ 25V 10V ±25V
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