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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSC009NE2LS5ATMA1
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RFQ
3,162
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 74W (Tc) N-Channel - 25V 41A (Ta), 100A (Tc) 0.9 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 57nC @ 10V 3900pF @ 12V 4.5V, 10V ±16V
BSC026NE2LS5ATMA1
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RFQ
1,908
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 29W (Tc) N-Channel - 25V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.6 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 16nC @ 10V 1100pF @ 12V 4.5V, 10V ±16V
IPC100N04S5L1R5ATMA1
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794
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 115W (Tc) N-Channel - 40V 100A (Tc) 1.5 mOhm @ 50A, 10V 2V @ 60µA 95nC @ 10V 5340pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
BSC009NE2LS5IATMA1
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3,594
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 74W (Tc) N-Channel - 25V 40A (Ta), 100A (Tc) 0.95 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 49nC @ 10V 3200pF @ 12V 4.5V, 10V ±16V
BSC057N03MSGATMA1
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RFQ
1,548
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 45W (Tc) N-Channel - 30V 15A (Ta), 71A (Tc) 5.7 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 40nC @ 10V 3100pF @ 15V 4.5V, 10V ±16V
IPC100N04S5L1R9ATMA1
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RFQ
3,964
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 100W (Tc) N-Channel - 40V 100A (Tc) 1.9 mOhm @ 50A, 10V 2V @ 50µA 81nC @ 10V 4310pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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