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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFHM831TRPBF		获得报价	PDF RFQ	688 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	PQFN (3x3)	2.5W (Ta), 27W (Tc)	N-Channel	-	30V	14A (Ta), 40A (Tc)	7.8 mOhm @ 12A, 10V	2.35V @ 25µA	16nC @ 10V	1050pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IRFHM9331TR2PBF		获得报价	PDF RFQ	2,745 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	PQFN (3x3)	2.8W (Ta)	P-Channel	-	30V	11A (Ta), 24A (Tc)	10 mOhm @ 11A, 20V	2.4V @ 25µA	48nC @ 10V	1543pF @ 25V	10V, 20V	±25V
	IRLHM630TR2PBF		获得报价	PDF RFQ	2,434 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-VQFN Exposed Pad	PQFN (3x3)	2.7W (Ta), 37W (Tc)	N-Channel	-	30V	21A (Ta), 40A (Tc)	3.5 mOhm @ 20A, 4.5V	1.1V @ 50µA	62nC @ 4.5V	3170pF @ 25V	2.5V, 10V	±12V
	IRLHM620TR2PBF		获得报价	PDF RFQ	2,863 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 26A PQFN	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-VQFN Exposed Pad	PQFN (3x3)	2.7W (Ta), 37W (Tc)	N-Channel	-	20V	26A (Ta), 40A (Tc)	2.5 mOhm @ 20A, 4.5V	1.1V @ 50µA	78nC @ 4.5V	3620pF @ 10V	2.5V, 10V	±12V
	IRFHM831TR2PBF		获得报价	PDF RFQ	1,420 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	PQFN (3x3)	2.5W (Ta), 27W (Tc)	N-Channel	-	30V	14A (Ta), 40A (Tc)	7.8 mOhm @ 12A, 10V	2.35V @ 25µA	16nC @ 10V	1050pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IRFHM830TR2PBF		获得报价	PDF RFQ	2,186 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-VQFN Exposed Pad	PQFN (3x3)	2.7W (Ta), 37W (Tc)	N-Channel	-	30V	21A (Ta), 40A (Tc)	3.8 mOhm @ 20A, 10V	2.35V @ 50µA	31nC @ 10V	2155pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IRFHM830DTR2PBF		获得报价	PDF RFQ	1,128 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 20A PQFN	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-VQFN Exposed Pad	PQFN (3x3)	2.8W (Ta), 37W (Tc)	N-Channel	-	30V	20A (Ta), 40A (Tc)	4.3 mOhm @ 20A, 10V	2.35V @ 50µA	27nC @ 10V	1797pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IRFHM830TRPBF		获得报价	PDF RFQ	931 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-VQFN Exposed Pad	PQFN (3x3)	2.7W (Ta), 37W (Tc)	N-Channel	-	30V	21A (Ta), 40A (Tc)	3.8 mOhm @ 20A, 10V	2.35V @ 50µA	31nC @ 10V	2155pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IRFHM8329TRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,517 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 16A PQFN	HEXFET®	Not For New Designs	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	PQFN (3x3)	2.6W (Ta), 33W (Tc)	N-Channel	-	30V	16A (Ta), 57A (Tc)	6.1 mOhm @ 20A, 10V	2.2V @ 25µA	26nC @ 10V	1710pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	IRLHM620TRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,790 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 26A PQFN	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	PQFN (3x3)	2.7W (Ta), 37W (Tc)	N-Channel	-	20V	26A (Ta), 40A (Tc)	2.5 mOhm @ 20A, 4.5V	1.1V @ 50µA	78nC @ 4.5V	3620pF @ 10V	2.5V, 10V	±12V
	IRFHM9331TRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,739 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	PQFN (3x3)	2.8W (Ta)	P-Channel	-	30V	11A (Ta), 24A (Tc)	10 mOhm @ 11A, 20V	2.4V @ 25µA	48nC @ 10V	1543pF @ 25V	10V, 20V	±25V

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