- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,855
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16A | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 62.5W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 16A (Tc) | 29 mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 21.2nC @ 4.5V | 1875pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
909
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 62.5W (Tc) | P-Channel | - | 150V | 4.7A (Tc) | 1.095 Ohm @ 5A, 10V | 3.5V @ 250µA | 11nC @ 10V | 385pF @ 75V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,126
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 18A (Tc) | 21 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 21nC @ 10V | 1358pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,027
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 16A (Tc) | 8 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 35nC @ 10V | 1800pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,816
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 62.5W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 16A (Tc) | 21 mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 26nC @ 4.5V | 1975pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |