- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
976
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK | SuperMESH5™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 4.5A (Tc) | 1.6 Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 100µA | 7.5nC @ 10V | 255pF @ 100V | 10V | 30V | ||
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获得报价 |
995
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-251 | 78W (Tc) | N-Channel | - | 700V | 5A (Tc) | 1.5 Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 7.5nC @ 10V | 342pF @ 50V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,727
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 | CoolMOS™ P7 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | PG-TO251-3 | 22W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2.5A (Tc) | 2.4 Ohm @ 800mA, 10V | 3.5V @ 40µA | 7.5nC @ 10V | 150pF @ 500V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
777
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220AB | SuperMESH5™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 85W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 4.5A (Tc) | 1.6 Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 100µA | 7.5nC @ 10V | 255pF @ 100V | 10V | 30V |