- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,381
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 20V | 6.8A (Ta) | 35 mOhm @ 4.1A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 650pF @ 15V | 2.7V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,301
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.8W (Ta) | N-Channel | - | 20V | 5.7A (Ta) | 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 650pF @ 15V | 2.7V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,508
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 20V | 4.2A (Ta) | 85 mOhm @ 4A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 7.5nC @ 4.5V | 310pF @ 15V | 2.7V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
753
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | HEXFET® | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 20V | 8.7A (Ta) | 22 mOhm @ 4.1A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 48nC @ 4.5V | 1600pF @ 15V | 2.7V, 4.5V | ±12V |