- 供应商设备包 :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
1,446
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 57W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 39A (Tc) | 20 mOhm @ 23A, 7V | 700mV @ 250µA | 31nC @ 4.5V | 1300pF @ 15V | 4.5V, 7V | ±10V | |||
|
获得报价 |
3,728
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 57W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 39A (Tc) | 20 mOhm @ 23A, 7V | 700mV @ 250µA | 31nC @ 4.5V | 1300pF @ 15V | 4.5V, 7V | ±10V | |||
|
获得报价 |
3,714
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 57W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 39A (Tc) | 20 mOhm @ 23A, 7V | 700mV @ 250µA | 31nC @ 4.5V | 1300pF @ 15V | 4.5V, 7V | ±10V | |||
|
获得报价 |
3,069
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 57W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 39A (Tc) | 20 mOhm @ 23A, 7V | 700mV @ 250µA | 31nC @ 4.5V | 1300pF @ 15V | 4.5V, 7V | ±10V |