- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
2,436
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 140W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 62A (Tc) | 13.5 mOhm @ 37A, 10V | 4V @ 100µA | 87nC @ 10V | 3180pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
1,310
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | HEXFET® | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 140W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 61A (Tc) | 13.9 mOhm @ 37A, 10V | 4V @ 100µA | 87nC @ 10V | 3180pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
1,090
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 61A TO262 | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 140W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 61A (Tc) | 13.9 mOhm @ 37A, 10V | 4V @ 100µA | 87nC @ 10V | 3180pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
2,050
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 62A TO220AB | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 140W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 62A (Tc) | 13.5 mOhm @ 37A, 10V | 4V @ 100µA | 87nC @ 10V | 3180pF @ 50V | 10V | ±20V |