- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
7 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,630
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A IPAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 91W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 35A (Tc) | 28.5 mOhm @ 21A, 10V | 4V @ 50µA | 59nC @ 10V | 1690pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,280
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 14A (Ta) | 8 mOhm @ 14A, 16V | 4V @ 250µA | 59nC @ 10V | 2410pF @ 15V | 10V, 16V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,478
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 200V | 3.7A (Ta) | 79 mOhm @ 2.2A, 10V | 2.5V @ 250µA | 59nC @ 10V | 1820pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,674
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 200V | 3.7A (Ta) | 79 mOhm @ 2.2A, 10V | 2.5V @ 250µA | 59nC @ 10V | 1820pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,643
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | HEXFET® | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 91W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 35A (Tc) | 28.5 mOhm @ 21A, 10V | 4V @ 50µA | 59nC @ 10V | 1690pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,336
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 35A IPAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 91W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 35A (Tc) | 28.5 mOhm @ 21A, 10V | 4V @ 50µA | 59nC @ 10V | 1690pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,866
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 35A DPAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 91W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 35A (Tc) | 28.5 mOhm @ 21A, 10V | 4V @ 50µA | 59nC @ 10V | 1690pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1