晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFU3518-701PBF		获得报价	PDF RFQ	1,521 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 38A IPAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	IPAK (TO-251)	110W (Tc)	N-Channel	-	80V	38A (Tc)	29 mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	56nC @ 10V	1710pF @ 25V	10V	±20V
	IRFSL23N15DPBF		获得报价	PDF RFQ	1,381 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRFU3410		获得报价	PDF RFQ	3,670 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	IPAK (TO-251)	3W (Ta), 110W (Tc)	N-Channel	-	100V	31A (Tc)	39 mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	56nC @ 10V	1690pF @ 25V	10V	±20V
	IRFSL23N15D		获得报价	PDF RFQ	2,123 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRFS23N15D		获得报价	PDF RFQ	2,292 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRF7490PBF	单位 $0.55	获得报价	PDF RFQ	3,877 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	N-Channel	-	100V	5.4A (Ta)	39 mOhm @ 3.2A, 10V	4V @ 250µA	56nC @ 10V	1720pF @ 25V	10V	±20V
	IRFR3518PBF	单位 $0.64	获得报价	PDF RFQ	3,664 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 38A DPAK	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-Pak	110W (Tc)	N-Channel	-	80V	38A (Tc)	29 mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	56nC @ 10V	1710pF @ 25V	10V	±20V
	IRFB23N15DPBF	单位 $1.66	获得报价	PDF RFQ	964 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRFU3410PBF	单位 $1.04	获得报价	PDF RFQ	3,324 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	IPAK (TO-251)	3W (Ta), 110W (Tc)	N-Channel	-	100V	31A (Tc)	39 mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	56nC @ 10V	1690pF @ 25V	10V	±20V
	IRFR3410PBF	单位 $1.26	获得报价	PDF RFQ	2,214 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-Pak	3W (Ta), 110W (Tc)	N-Channel	-	100V	31A (Tc)	39 mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	56nC @ 10V	1690pF @ 25V	10V	±20V

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