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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF8788PBF
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RFQ
2,811
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO HEXFET® Discontinued at Digi-Key Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 24A (Ta) 2.8 mOhm @ 24A, 10V 2.35V @ 100µA 66nC @ 4.5V 5720pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF8252PBF
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RFQ
3,300
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 25V 25A (Ta) 2.7 mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 100µA 53nC @ 4.5V 5305pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
IRLR8743PBF
单位
$1.40
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RFQ
3,627
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 160A DPAK HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 135W (Tc) N-Channel - 30V 160A (Tc) 3.1 mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 100µA 59nC @ 4.5V 4880pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRLB4132PBF
单位
$0.95
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RFQ
3,454
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 78A TO220 HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 140W (Tc) N-Channel - 30V 78A (Tc) 3.5 mOhm @ 40A, 10V 2.35V @ 100µA 54nC @ 4.5V 5110pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRLU8743PBF
单位
$1.62
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RFQ
3,377
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA IPAK (TO-251) 135W (Tc) N-Channel - 30V 160A (Tc) 3.1 mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 100µA 59nC @ 4.5V 4880pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRLB8743PBF
单位
$1.53
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RFQ
2,852
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 140W (Tc) N-Channel - 30V 78A (Tc) 3.2 mOhm @ 40A, 10V 2.35V @ 100µA 54nC @ 4.5V 5110pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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