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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
64-2105PBF
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RFQ
3,811
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 200W (Tc) N-Channel - 40V 75A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
IRF1404ZGPBF
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RFQ
3,419
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 220W (Tc) N-Channel - 40V 180A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
64-2042
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1,064
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 220W (Tc) N-Channel - 40V 75A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
AUIRF1404ZL
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$1.94
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO262 HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 200W (Tc) N-Channel - 40V 160A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
IRF1404ZSPBF
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3,692
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 40V 180A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
AUIRF1404Z
单位
$3.01
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RFQ
3,296
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 200W (Tc) N-Channel - 40V 160A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
AUIRF1404ZS
单位
$3.01
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RFQ
3,684
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 40V 160A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
IRF1404ZPBF
单位
$1.80
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RFQ
636
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 200W (Tc) N-Channel - 40V 180A (Tc) 3.7 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 4340pF @ 25V 10V ±20V
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