- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
601
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 57W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 25A (Tc) | 37 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 5V | 710pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
2,916
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 25A (Tc) | 37 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 5V | 710pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
2,806
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 144W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 25A (Tc) | 72.5 mOhm @ 15A, 10V | 5V @ 100µA | 38nC @ 10V | 1710pF @ 50V | 10V | ±20V |