晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRLR2703PBF		获得报价	PDF RFQ	616 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 23A DPAK	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-Pak	45W (Tc)	N-Channel	-	30V	23A (Tc)	45 mOhm @ 14A, 10V	1V @ 250µA	15nC @ 4.5V	450pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRFSL23N15DPBF		获得报价	PDF RFQ	1,381 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRFSL23N15D		获得报价	PDF RFQ	2,123 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRFS23N15D		获得报价	PDF RFQ	2,292 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRLU2703		获得报价	PDF RFQ	613 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	I-PAK	45W (Tc)	N-Channel	-	30V	23A (Tc)	45 mOhm @ 14A, 10V	1V @ 250µA	15nC @ 4.5V	450pF @ 25V	4.5V, 10V	±16V
	IRLI540N		获得报价	PDF RFQ	2,802 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220AB Full-Pak	54W (Tc)	N-Channel	-	100V	23A (Tc)	44 mOhm @ 12A, 10V	2V @ 250µA	74nC @ 5V	1800pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRLU2703PBF		获得报价	PDF RFQ	1,225 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	IPAK (TO-251)	45W (Tc)	N-Channel	-	30V	23A (Tc)	45 mOhm @ 14A, 10V	1V @ 250µA	15nC @ 4.5V	450pF @ 25V	4.5V, 10V	±16V
	IRF3315PBF	单位 $1.64	获得报价	PDF RFQ	3,032 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	94W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	70 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	95nC @ 10V	1300pF @ 25V	10V	±20V
	IRFB23N15DPBF	单位 $1.66	获得报价	PDF RFQ	964 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	3.8W (Ta), 136W (Tc)	N-Channel	-	150V	23A (Tc)	90 mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	56nC @ 10V	1200pF @ 25V	10V	±30V
	IRLI540NPBF	单位 $1.54	获得报价	PDF RFQ	3,946 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220AB Full-Pak	54W (Tc)	N-Channel	-	100V	23A (Tc)	44 mOhm @ 12A, 10V	2V @ 250µA	74nC @ 5V	1800pF @ 25V	4V, 10V	±16V

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