晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRF1324LPBF		获得报价	PDF RFQ	2,306 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 195A TO262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	300W (Tc)	N-Channel	-	24V	195A (Tc)	1.65 mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	240nC @ 10V	7590pF @ 24V	10V	±20V
	IRF1324SPBF		获得报价	PDF RFQ	1,380 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 195A D2-PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	300W (Tc)	N-Channel	-	24V	195A (Tc)	1.65 mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	240nC @ 10V	7590pF @ 24V	10V	±20V
	AUIRFP2602		获得报价	PDF RFQ	1,749 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 180A TO-247AD	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AD	380W (Tc)	N-Channel	-	24V	180A (Tc)	1.6 mOhm @ 180A, 10V	4V @ 250µA	390nC @ 10V	11220pF @ 25V	10V	±20V
	IRF1324S-7PPBF		获得报价	PDF RFQ	3,687 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK (7-Lead)	300W (Tc)	N-Channel	-	24V	240A (Tc)	1 mOhm @ 160A, 10V	4V @ 250µA	252nC @ 10V	7700pF @ 19V	10V	±20V
	AUIRF1324S-7P	单位 $2.01	获得报价	PDF RFQ	2,323 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK-7	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	D2PAK (7-Lead)	-	N-Channel	-	24V	240A (Tc)	1 mOhm @ 160A, 10V	4V @ 250µA	252nC @ 10V	7700pF @ 19V	-	-
	AUIRF1324	单位 $2.01	获得报价	PDF RFQ	3,063 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	300W (Tc)	N-Channel	-	24V	195A (Tc)	1.5 mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	240nC @ 10V	7590pF @ 24V	10V	±20V
	AUIRF1324S		获得报价	PDF RFQ	2,688 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	300W (Tc)	N-Channel	-	24V	195A (Tc)	1.65 mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	240nC @ 10V	7590pF @ 24V	10V	±20V
	AUIRF1324WL	单位 $4.28	获得报价	PDF RFQ	622 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 240A TO-262	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Wide Leads	TO-262-3 Wide	300W (Tc)	N-Channel	-	24V	240A (Tc)	1.3 mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	180nC @ 10V	7630pF @ 19V	10V	±20V
	IRF1324PBF	单位 $2.61	获得报价	PDF RFQ	1,247 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	300W (Tc)	N-Channel	-	24V	195A (Tc)	1.5 mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	240nC @ 10V	7590pF @ 24V	10V	±20V

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