- 供应商设备包 :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
1,773
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | - | 400V | 1.7A (Ta) | 3.6 Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | 170pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,748
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-5 | TO-220-5 | 74W (Tc) | N-Channel | Current Sensing | 400V | 5.5A (Tc) | 1 Ohm @ 3.3A, 10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | 700pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,235
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-5 | TO-220-5 | 125W (Tc) | N-Channel | Current Sensing | 400V | 10A (Tc) | 550 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 66nC @ 10V | 1200pF @ 25V | 10V | ±20V |