- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,461
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 3.1W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 18A (Ta) | 6.5 mOhm @ 15A, 4.5V | 1V @ 250µA | 60nC @ 5V | 5500pF @ 16V | 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
2,174
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 3.1W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 14A (Ta) | 12 mOhm @ 15A, 4.5V | 1V @ 250µA | 33nC @ 5V | 2335pF @ 16V | 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
3,679
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 3.1W (Ta) | N-Channel | - | 150V | 41A (Tc) | 45 mOhm @ 25A, 10V | 5.5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 2520pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,039
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | HEXFET® | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.1W (Ta) | N-Channel | - | 150V | 41A (Tc) | 45 mOhm @ 25A, 10V | 5.5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 2520pF @ 25V | 10V | ±30V |