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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
8 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRL3103LPBF
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RFQ
740
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 64A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 94W (Tc) N-Channel - 30V 64A (Tc) 12 mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 4.5V 1650pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRL3103L
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RFQ
2,708
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 64A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 94W (Tc) N-Channel - 30V 64A (Tc) 12 mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 4.5V 1650pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRL3103S
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1,454
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 94W (Tc) N-Channel - 30V 64A (Tc) 12 mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 4.5V 1650pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRL3103SPBF
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RFQ
2,388
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 94W (Tc) N-Channel - 30V 64A (Tc) 12 mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 4.5V 1650pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
AUIRFZ44N
单位
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RFQ
2,982
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 31A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 94W (Tc) N-Channel - 55V 49A (Tc) 17.5 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 1470pF @ 25V 10V ±20V
IRF3315PBF
单位
$1.64
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RFQ
3,032
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 94W (Tc) N-Channel - 150V 23A (Tc) 70 mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95nC @ 10V 1300pF @ 25V 10V ±20V
IRL3103PBF
单位
$1.28
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RFQ
679
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 94W (Tc) N-Channel - 30V 64A (Tc) 12 mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 4.5V 1650pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRFZ44NPBF
单位
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RFQ
3,847
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 94W (Tc) N-Channel - 55V 49A (Tc) 17.5 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 1470pF @ 25V 10V ±20V
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