- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,300
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | Surface Mount | SOT-23-6 | Micro6™(SOT23-6) | 2W (Ta) | N-Channel | - | 20V | 6.5A (Ta) | 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 22nC @ 5V | 1310pF @ 15V | 2.5V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,647
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) | 2W (Ta) | N-Channel | - | 150V | 900mA (Ta) | 1.2 Ohm @ 540mA, 10V | 5.5V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | 88pF @ 25V | 10V | ±30V |