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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AUIRF2804
单位
$1.76
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RFQ
695
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 300W (Tc) N-Channel - 40V 195A (Tc) 2.3 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240nC @ 10V 6450pF @ 25V 10V ±20V
AUIRFZ44Z
单位
$0.92
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RFQ
2,180
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 80W (Tc) N-Channel - 55V 51A (Tc) 13.9 mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43nC @ 10V 1420pF @ 25V 10V ±20V
AUIRFZ48Z
单位
$0.90
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RFQ
3,223
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 91W (Tc) N-Channel - 55V 61A (Tc) 11 mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 64nC @ 10V 1720pF @ 25V 10V ±20V
AUIRL1404Z
单位
$1.59
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RFQ
3,521
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 200W (Tc) N-Channel - 40V 160A (Tc) 3.1 mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110nC @ 5V 5080pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
AUIRF3305
单位
$2.03
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RFQ
3,533
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 330W (Tc) N-Channel - 55V 140A (Tc) 8 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 3650pF @ 25V 10V ±20V
AUIRF4104
单位
$1.18
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RFQ
2,219
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 75A TO220 HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 140W (Tc) N-Channel - 40V 75A (Tc) 5.5 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 3000pF @ 25V 10V ±20V
AUIRF3805
单位
$2.46
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RFQ
1,496
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 160A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 300W (Tc) N-Channel - 55V 160A (Tc) 3.3 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 290nC @ 10V 7960pF @ 25V 10V ±20V
IRFB4137PBF
单位
$6.57
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RFQ
1,784
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 341W (Tc) N-Channel - 300V 38A (Tc) 69 mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 125nC @ 10V 5168pF @ 50V 10V ±20V
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