- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,809
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-262-3 Wide Leads | TO-262-3 Wide | 375W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 240A (Tc) | 1.4 mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 210nC @ 10V | 9450pF @ 32V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,825
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Wide Leads | TO-262-3 Wide | 300W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 240A (Tc) | 1.8 mOhm @ 187A, 10V | 4V @ 250µA | 225nC @ 10V | 7978pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
622
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 24V 240A TO-262 | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Wide Leads | TO-262-3 Wide | 300W (Tc) | N-Channel | - | 24V | 240A (Tc) | 1.3 mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 180nC @ 10V | 7630pF @ 19V | 10V | ±20V |