- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,094
有现货
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | 625W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 57A (Tc) | 80 mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 338nC @ 10V | 10000pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,128
有现货
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | 500W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 38A (Tc) | 130 mOhm @ 23A, 10V | 4V @ 250µA | 420nC @ 10V | 6900pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,764
有现货
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | 480W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 6.5 mOhm @ 108A, 10V | 4V @ 250µA | 380nC @ 10V | 10700pF @ 25V | 10V | ±20V |