- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,013
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS | DTMOSIV | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 45W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 600V | 30.8A (Ta) | 88 mOhm @ 15.4A, 10V | 3.7V @ 1.5mA | 86nC @ 10V | 3000pF @ 300V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,821
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 Full Pack | 35W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 26A (Tc) | 145 mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 86nC @ 10V | 1980pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,895
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP | SuperMESH™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220FP | 40W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 14A (Tc) | 420 mOhm @ 7A, 10V | 4.5V @ 50µA | 86nC @ 10V | 2650pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,871
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | PG-TO220 Full Pack | 34.7W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 22.4A (Tc) | 150 mOhm @ 9.3A, 10V | 4.5V @ 1mA | 86nC @ 10V | 2340pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,447
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 Full Pack | 35W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 21A (Tc) | 180 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86nC @ 10V | 1920pF @ 100V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1