- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,808
有现货
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8A TO220F | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 39W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 8A (Tc) | 850 mOhm @ 4A, 10V | 5V @ 250µA | 21nC @ 10V | 937pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,092
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP | STripFET™ II | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220FP | 225W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 8A (Tc) | 200 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 21nC @ 10V | 850pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,884
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 120V 8.5A TO-220FP | STripFET™ II | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220FP | 25W (Tc) | N-Channel | - | 120V | 8.5A (Tc) | 180 mOhm @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 21nC @ 10V | 460pF @ 25V | 10V | ±20V |