- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,962
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 24W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 10A (Tc) | 110 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 6.4nC @ 5V | 350pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,164
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 30W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 15.7A (Tc) | 55 mOhm @ 7.85A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13nC @ 5V | 630pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,093
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 38W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 22.5A (Tc) | 35 mOhm @ 11.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 20nC @ 5V | 1040pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |