- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,618
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A IPAK | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 2A (Tc) | 4.7 Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 250µA | 11nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,551
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 28W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 1.6A (Tc) | 4.7 Ohm @ 800mA, 10V | 5V @ 250µA | 11nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,447
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220-3 | 64W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 2.4A (Tc) | 4.7 Ohm @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 11nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±30V |