- 系列 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,165
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 38W (Tc) | P-Channel | 55V | 11A (Tc) | 175 mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,737
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 38W (Tc) | N-Channel | 60V | 11A (Tc) | 107 mOhm @ 8A, 5V | 3V @ 250µA | 11.3nC @ 10V | 350pF @ 25V | 5V | ±16V | |||
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获得报价 |
994
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 38W (Tc) | N-Channel | 60V | 11A (Tc) | 107 mOhm @ 8A, 5V | 3V @ 250µA | 11.3nC @ 10V | 350pF @ 25V | 5V | ±16V |