- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,551
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 28W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 1.6A (Tc) | 4.7 Ohm @ 800mA, 10V | 5V @ 250µA | 11nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,399
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 29W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 9.5A (Tc) | 175 mOhm @ 5.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,358
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 400V 1.34A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 28W (Tc) | P-Channel | - | 400V | 1.34A (Tc) | 6.5 Ohm @ 670mA, 10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,416
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 500V 1.03A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 28W (Tc) | P-Channel | - | 500V | 1.03A (Tc) | 10.5 Ohm @ 515mA, 10V | 5V @ 250µA | 14nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±30V |