- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,305
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 6.8A (Tc) | 480 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,524
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.1W (Ta), 50W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 2.2A (Tc) | 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,595
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 12A (Tc) | 175 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,351
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3W (Ta), 40W (Tc) | P-Channel | - | 200V | 3.5A (Tc) | 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 22nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,309
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 6.8A (Tc) | 480 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V |