- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,639
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK | MDmesh™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 125W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 17A (Tc) | 190 mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 45nC @ 10V | 1330pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,360
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 | MDmesh™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerFlat™ HV | PowerFlat™ (8x8) HV | 3W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 2.8A (Ta), 14A (Tc) | 210 mOhm @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 45nC @ 10V | 1330pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
877
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-MLP (3.3x3.3) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 7A (Ta), 18A (Tc) | 23 mOhm @ 7A, 10V | 3V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1330pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |