- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,259
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-11 | 36W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 30A (Tc) | 23 mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 10µA | 21nC @ 10V | 1560pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,184
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 60V | 12A (Ta) | 9.4 mOhm @ 12A, 10V | 4.9V @ 100µA | 39nC @ 10V | 1560pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,424
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 48W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 40A (Tc) | 4.8 mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 17µA | 29nC @ 10V | 1560pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |