- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,807
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK | MDmesh™ II Plus | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 7.5A (Tc) | 600 mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 13.5nC @ 10V | 400pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,269
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56 | MDmesh™ II Plus | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 48W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 5.5A (Tc) | 660 mOhm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 13.5nC @ 10V | 400pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,922
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V DPAK | MDmesh™ II Plus | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 7.5A (Tc) | 600 mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 13.5nC @ 10V | 400pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,396
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A DPAK | SuperFET® II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 32W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2A (Tc) | 3.4 Ohm @ 1A, 10V | 4.5V @ 200µA | 9.6nC @ 10V | 400pF @ 100V | 10V | ±20V |