- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,753
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC | PowerTrench® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 11.5A (Ta) | 10 mOhm @ 11.5A, 10V | 3V @ 250µA | 27nC @ 5V | 2070pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,858
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | STripFET™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 100W (Tc) | N-Channel | - | 24V | 80A (Tc) | 5 mOhm @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 17nC @ 5V | 2070pF @ 15V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,850
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.5W (Ta), 28W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 25A (Tc) | 4.3 mOhm @ 10A, 10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | 2070pF @ 15V | 4.5V, 10V | +20V, -16V | |||
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获得报价 |
2,712
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 4.5W (Ta), 31W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 25A (Tc) | 4.3 mOhm @ 10A, 10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | 2070pF @ 15V | 4.5V, 10V | +20V, -16V |