- 零件状态 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,313
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 4A (Tc) | 90 mOhm @ 3.9A, 4.5V | 2V @ 250µA | 6.2nC @ 5V | 300pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,752
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 37W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 3.8A (Tc) | 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V | 2V @ 250µA | 6.2nC @ 5V | 325pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
603
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK | TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 37W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 11.8A (Tc) | 98 mOhm @ 5A, 10V | 2.1V @ 1mA | 6.2nC @ 5V | 706pF @ 25V | 5V | ±10V |